El gigante electrónico surcoreano Samsung Electronics ha dado a conocer su nuevo proyecto que da un paso más hacia la creación de chips neuromórficos. El estudio, llevado a cabo por un equipo de ingenieros de la compañía y científicos de la Universidad de Harvard y publicado en la revista Nature Electronics el pasado 23 de septiembre, plantea la posibilidad de «copiar y pegar» el mapa de cableado neuronal, un enfoque que podría resultar clave para crear un chip que se aproxima a las características únicas del cerebro que de momento se quedan fuera del alcance de la tecnología.
El novedoso método se basa en el papel clave del mapa del cableado neuronal en la realización de las funciones cerebrales, por lo que su conocimiento, según estiman los investigadores, es sumamente importante para la ingeniería inversa del cerebro a fin de imitar tales rasgos informáticos del cerebro como el bajo consumo, la facilidad de aprendizaje, la adaptación, la autonomía y el procesamiento de la información.
En su estudio, los científicos proponen realizar una copia del mapa de conexiones neuronales del cerebro por medio de una «matriz de nanoelectrodos revolucionaria».
Según explica Samsung en su comunicado, la matriz de nanoelectrodos es capaz de introducirse en un gran número de neuronas, por lo que posibilita registrar sus señales eléctricas con alta sensibilidad. En particular, una grabación de este tipo podría indicar dónde se conectan las neuronas y cuán fuerte es su conexión, copiando el mapa neuronal. A su vez, este mapa será posteriormente pegado en una red tridimensional de alta densidad de memorias de estado sólido, programada para representar la fuerza de las conexiones neuronales.
Superando los límites
No obstante, se precisa que el cerebro humano cuenta con aproximadamente 100.000 millones de neuronas y unas mil veces más conexiones sinápticas, por lo que el chip neuronal podría requerir 100 billones de memorias. Sin embargo, de acuerdo con los investigadores, su integración en un solo chip podría ser posible gracias a la integración de memorias en 3D, un método actualmente investigado por Samsung.
«La visión que presentamos es muy ambiciosa», confesó Donhee Ham, miembro del Instituto Avanzado de Tecnología de Samsung (SAIT, por sus siglas en inglés) y uno de los autores del estudio. «Pero trabajar hacia un objetivo tan heroico impulsará los límites de la inteligencia artificial, la neurociencia y la tecnología de semiconductores», añade.
